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| 法國Lenoir雷諾直流滅磁開(kāi)關(guān)的技術(shù)優(yōu)勢與市場(chǎng)應用分析 |
| 點(diǎn)擊次數：727 更新時(shí)間：2024-09-13 |
法國lenoir雷諾直流滅磁開(kāi)關(guān)-赫爾納優(yōu)勢供應法國lenoir雷諾直流滅磁開(kāi)關(guān)-常規磁場(chǎng)斷路器一般都串聯(lián)在勵磁直流回路中，目前國內大部分新建機組及老機組改造都選擇滅磁開(kāi)關(guān)配合ZnO 非線(xiàn)性電阻的滅磁方案。其基本原理如圖。圖中LP 為勵磁整流裝置，MK 為滅磁開(kāi)關(guān)，RF 為氧化鋅非線(xiàn)性電阻，UZ表示可控硅直流側電壓，UK 表示滅磁開(kāi)關(guān)弧壓，UL 表示滅磁非線(xiàn)性電阻的殘壓。FR 跨接于勵磁繞組兩端，發(fā)電機正常運行時(shí)，轉子電壓UL 較低，FR 呈高阻，漏電流僅微安量級。滅磁時(shí)MK 開(kāi)斷，弧壓UK 上升，導致UL 反向并升高，高至一定值時(shí)FR 轉為導通，勵磁電流轉入FR 衰耗，MK 熄弧開(kāi)斷。 這種以MK 跳閘建立弧壓，并擊穿氧化鋅非線(xiàn)性電阻FR，以實(shí)現勵磁電流由MK 轉移到FR，來(lái)吸收轉子磁能的滅磁方法，必須保證電壓關(guān)系UK-UZ≥UL 的成立。這是直流側滅磁正常換流的必要條件。根據公式UK-UZ≥UL，當直流開(kāi)關(guān)用于非線(xiàn)性電阻滅磁系統時(shí)，對開(kāi)關(guān)主觸頭斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的弧壓有嚴格的要求。為了建立更高的斷口電壓，以滿(mǎn)足在滅磁時(shí)使非線(xiàn)性電阻導通并將勵磁電流換流到滅磁回路中的要求，而使得開(kāi)關(guān)的結構復雜化，在某些情況下，甚至要求開(kāi)關(guān)具有兩個(gè)或更多的串聯(lián)主觸頭，這種專(zhuān)用的開(kāi)關(guān)價(jià)格較高，市場(chǎng)較小，所以對生產(chǎn)及開(kāi)發(fā)均帶來(lái)了不利的影響。 折疊交流滅磁
交流滅磁的一次原理電路圖與圖1相同，區別之處在于需要通過(guò)一中間繼電器的分閘動(dòng)作去切除勵磁電源的可控硅觸發(fā)脈沖(簡(jiǎn)稱(chēng)拉脈沖)，然后跳滅磁開(kāi)關(guān)。由于發(fā)電機轉子是具有儲能的大電感，其釋能的時(shí)間常數為幾秒量級，拉脈沖后，它相當于一直流恒流源，也就是使勵磁電源的可控硅始終有兩只導通、四只關(guān)斷;由于可控硅觸發(fā)脈沖被切除，四只關(guān)斷的可控硅管不會(huì )再導通，但因轉子的直流恒流源作用，兩只導通的可控硅始終導通，且不可控;又因該直流恒流源的輸出為單方向直流，兩只導通的可控硅在此僅相當于導體。這就使得在與勵磁電源輸入端相連接的三相支路中有兩相電流流過(guò)，一相無(wú)電流，此時(shí)，勵磁電源相當于一交流恒壓源，拉脈沖以后的電路圖可以等效為如圖2 所示。這樣電流回路由上述單相交流恒壓源與轉子形成的直流恒流源串聯(lián)而形成閉合回路。當交流滅磁開(kāi)關(guān)開(kāi)斷時(shí)，就使得交流開(kāi)關(guān)的斷口處產(chǎn)生弧壓。利用上述交流開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的弧壓和勵磁變壓器所輸出的單相交流電壓的疊加，當滿(mǎn)足條件UK-Uz≥UL 時(shí)，勵磁電流全部切換到FR 中，隨即使開(kāi)關(guān)斷口點(diǎn)熄弧-開(kāi)關(guān)開(kāi)斷成功，這樣就將發(fā)電機轉子儲存的磁能經(jīng)FR 釋放，完成快速滅磁。 折疊交流側滅磁的優(yōu)點(diǎn): 把交流側滅磁與直流側滅磁進(jìn)行比較，可以看出交流側滅磁對弧壓UK 的要求大大降低。斷路器的弧壓總有一定限制，為了提高弧壓要采取一系列措施，如加強吹弧，增加滅弧柵片數，加大滅弧罩尺寸，以及多斷口串聯(lián)等，這些都會(huì )加大斷路器的體積，重量及造價(jià)。降低弧壓要求，也意味著(zhù)降低斷路器的體積、重量和造價(jià)，這是交流滅磁的主要優(yōu)點(diǎn)。
折疊非線(xiàn)性電阻 盡管?chē)鴥韧鈱Σ捎梅蔷€(xiàn)性電阻滅磁已達成了共識，但在非線(xiàn)性電阻的選擇上卻有所不同。國外普遍選擇了碳化硅(SiC)壓敏電阻作為滅磁裝置的非線(xiàn)性電阻，而國內卻大多選擇了氧化鋅(ZnO)壓敏電阻。
從電氣特性來(lái)看，ZnO 的電流衰減將幾乎恒定在較快的水平。而SiC 的電流衰減的速度將隨電流的減小而明顯變慢。從而在整個(gè)滅磁時(shí)間上ZnO 的要比SiC 的短。如果采用相同的滅磁電阻和滅磁電壓，則對滅磁時(shí)間來(lái)說(shuō)，SiC 是ZnO 的兩倍。 |
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